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Flash的讀取：實際還是比較電流

假設有兩個SLC存儲單元，分別用紅色實線和藍色實線表示；還有一個比較電壓，用黑色虛線表示。 1.如要通過判斷Vt的方法來判別兩個存儲單元是擦除態還是編程態，就需要通過多次操作，找到Vt1和Vt2，然后將他們與Vref做比較來得出結論，這在性能和可靠性上是不可取的。 2.更簡單的方法是，在所有存儲單元的柵極上加一個Vref電壓，一次性獲得這些存儲端元的Id。Id大于It的，就是擦除態的單元；反之就是編程態的單元。因為只操作了一次，所以性能和可靠性更優。 Id的比較則有多種方法。在NOR閃存上，因為Id電流較大(uA級)，且NOR需要百納秒級的讀取速度，因此一般直接用分壓的方法將Id轉為電壓作比較。簡圖如下，

2023-09-26 98825

閃存的讀取中的數據隨機化及其他

上一篇介紹到為了保持閃存的源極電壓為0、或者保證源極電壓在寫入和讀取時不變，NOR和NAND都會有一些設計或者操作上的變化來解決這一問題。在NAND閃存上，另一個比較特殊的需求就是NAND中寫入的數據需要做隨機化處理。這一定程度上也和NAND存儲單元源極電壓的歸一性相關。如圖所示，假設有4個NAND串，最下方三行的編程、擦除狀態如下：在用戶讀取最上方一行的存儲單元時，這些存儲單元的源極電壓狀態會各

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我們奉勸美國一些人別光忙著拆手機，最好也拆解和重構一下對中國科技發展與創新的認知。

華為作為一家企業發布了什么手機，采用了哪些技術，原本與美國沒什么關系，也不應該引起這樣的關注。拆機本是科技界人士了解新產品的常規動作，更多是個人行為，而美國媒體大張旗鼓地委托機構去拆機，就此大做文章，本身就是不正常的。試想一下，如果在中國有媒體帶著“搜查”的心態去對蘋果手機拆機，拿出顯微鏡去分析它到底搞出了哪些新技術，顯然會被認為是怪異之舉。而且坦率地說，中國社會整體上是樂見美國產品的技術迭代的，幾乎不會有人認為那些技術進步意味著中國的失敗，更不會有人覺得被“扇耳光”。拆機的小動作，折射出的卻是華盛頓大的病態心理。

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